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硅光纖調(diào)制器檢測

2025-03-28 關(guān)鍵詞:硅光纖調(diào)制器測試范圍,硅光纖調(diào)制器測試標(biāo)準(zhǔn),硅光纖調(diào)制器測試機(jī)構(gòu) 相關(guān):
硅光纖調(diào)制器檢測

硅光纖調(diào)制器檢測摘要:硅光纖調(diào)制器檢測需通過專業(yè)測試手段驗(yàn)證其光電性能及可靠性。核心檢測指標(biāo)包括插入損耗、調(diào)制帶寬,、半波電壓等關(guān)鍵參數(shù),需依據(jù)IEC,、GB/T等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行。本文系統(tǒng)闡述檢測項(xiàng)目,、適用材料范圍,、標(biāo)準(zhǔn)化方法及精密儀器配置,為器件性能評估提供技術(shù)依據(jù),。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.插入損耗:波長范圍1260-1650nm內(nèi)≤1.5dB

2.調(diào)制帶寬:DC-40GHz頻段響應(yīng)特性測試

3.半波電壓(Vπ):1550nm波長下≤3.5V

4.消光比:≥25dB@10Gbps速率

5.溫度穩(wěn)定性:-40℃~+85℃范圍內(nèi)波長漂移≤0.02nm/℃

檢測范圍

1.單模/多模硅基光子晶體光纖調(diào)制器

2.高速硅光調(diào)制器(25G/100G/400G)

3.高功率耐受型硅波導(dǎo)調(diào)制器(>500mW)

4.集成光子芯片中的MZI型調(diào)制單元

5.TO/COB/BGA封裝形式的光纖調(diào)制器件

檢測方法

國際標(biāo)準(zhǔn):IEC61754-20(光纖連接器接口),、ISO/IEC14763-3(光鏈路測試)

國家標(biāo)準(zhǔn):GB/T18311.3-2001(插入損耗測試),、GB/T15972.42-2021(環(huán)境試驗(yàn))

行業(yè)規(guī)范:TelcordiaGR-468-CORE(可靠性驗(yàn)證)、ITU-TG.657(彎曲不敏感光纖)

檢測設(shè)備

1.KeysightN4373D光波元件分析儀(0.01dB分辨率)

2.EXFOFTB-5240S光譜分析儀(1525-1610nm)

3.Agilent81600B可調(diào)諧激光源(0.1nm精度)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期:7~15工作日,,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)

中析硅光纖調(diào)制器檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢詳細(xì)檢測項(xiàng)目,,請咨詢在線工程師

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