參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測項(xiàng)目

1. 閾值電場強(qiáng)度測試：測量電子開始穩(wěn)定發(fā)射時(shí)的臨界電場值（范圍：1-50 V/μm）

2. 發(fā)射電流密度分析：量化單位面積電子流強(qiáng)度（典型值：0.1-100 mA/cm2）

3. 功函數(shù)測定：計(jì)算材料表面勢壘高度（精度±0.05 eV）

4. 場增強(qiáng)因子β值計(jì)算：表征微觀結(jié)構(gòu)對(duì)電場的放大效應(yīng)（基準(zhǔn)值50-5000）

5. 穩(wěn)定性測試：持續(xù)監(jiān)測發(fā)射電流波動(dòng)率（時(shí)長≥100小時(shí)）

6. 發(fā)射均勻性評(píng)估：通過微區(qū)掃描確定電子束分布一致性（分辨率≤1μm）

7. 溫度依賴性研究：考察-196℃至800℃溫區(qū)的場發(fā)射特性變化

檢測范圍

1. 碳納米管薄膜及石墨烯基復(fù)合材料

2. 金屬微尖陣列冷陰極組件

3. 金剛石/類金剛石涂層電極

4. ZnO/SiC半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)

5. 場發(fā)射顯示器(FED)面板單元

6. MEMS真空電子器件封裝體

7. 掃描探針顯微鏡專用探針

檢測方法

ASTM F1802-2018《Standard Test Method for Field Emission》規(guī)范平行板電極法

ISO 21217:2019《Nanotechnologies-Field emission characterization》規(guī)定納米材料測試流程

GB/T 30211-2013《真空電子器件場致發(fā)射測試方法》定義陽極電壓調(diào)節(jié)規(guī)范

GB/T 40267-2021《信息顯示器件用場發(fā)射陰極評(píng)估通則》規(guī)定顯示器件測試條件

IEC 61340-5-3《靜電學(xué)-第5-3部分》涉及表面電荷消散速率測量

SEMI F109-0317《半導(dǎo)體材料場發(fā)射特性測試規(guī)程》明確晶圓級(jí)測試參數(shù)

檢測設(shè)備

1. KEITHLEY 4200A-SCS參數(shù)分析儀：支持10fA~1A寬量程電流測量

2. JEOL JSM-7900F場發(fā)射掃描電鏡：配備STEM探測器實(shí)現(xiàn)原位形貌觀測

3. Agilent B1505A功率器件分析儀：最大輸出電壓10kV的I-V特性測試系統(tǒng)

4. CIP-FE1000場發(fā)射測試系統(tǒng)：集成真空腔體與三維樣品臺(tái)（極限真空5×10?? Pa）

5. PHI 5000 VersaProbe III X射線光電子能譜儀：功函數(shù)測定精度±0.02 eV

6. Thermo Fisher Themis Z球差校正透射電鏡：原子級(jí)尖端曲率半徑分析

7. HORIBA LabRAM HR Evolution拉曼光譜儀：材料應(yīng)力分布與缺陷關(guān)聯(lián)分析

8. ULVAC PHI SMART-200表面分析系統(tǒng)：結(jié)合UPS技術(shù)測定能帶結(jié)構(gòu)

9. Advantest R6243高壓直流電源：輸出穩(wěn)定性±0.05% @20kV

10. Oxford Instruments OmniProbe高真空探針臺(tái)：支持四探針法電阻率同步測量

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)