參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶粒平均直徑測(cè)量：基于截距法或面積法計(jì)算等效直徑（范圍0.1-2000μm）

2. 晶粒尺寸分布統(tǒng)計(jì)：統(tǒng)計(jì)D10/D50/D90分位值及變異系數(shù)（CV≤15%）

3. 晶粒形狀系數(shù)分析：測(cè)定長(zhǎng)寬比（1.0-5.0）和圓度（0.6-1.0）

4. 晶界取向差分布：EBSD技術(shù)測(cè)量取向差角度（2°-62°）

5. 異常晶粒比例：識(shí)別超過(guò)平均尺寸3倍以上的異常晶粒（閾值≤2%）

檢測(cè)范圍

1. 金屬材料：鋁合金（AA6061）、鈦合金（TC4）,、不銹鋼（316L）等軋制/鑄造產(chǎn)品

2. 陶瓷材料：氧化鋁（Al?O?）,、氮化硅（Si?N?）等燒結(jié)體

3. 粉末冶金制品：硬質(zhì)合金（WC-Co）、金屬注射成型件

4. 半導(dǎo)體材料：多晶硅錠,、砷化鎵晶圓

5. 高分子材料：聚乙烯（PE）球晶,、聚丙烯（PP）薄膜

檢測(cè)方法

1. ASTM E112-13：標(biāo)準(zhǔn)晶粒度測(cè)定方法（截距法/比較法）

2. ISO 643:2019：鋼的奧氏體晶粒度測(cè)定規(guī)范

3. GB/T 6394-2017：金屬平均晶粒度測(cè)定方法

4. GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

5. ISO 13383-1:2012：精細(xì)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)表征指南

檢測(cè)設(shè)備

1. 掃描電子顯微鏡（SEM）：蔡司Sigma 500，分辨率1nm,，配備EBSD探頭

2. 金相顯微鏡：奧林巴斯GX53,，最大放大倍數(shù)1000×

3. 圖像分析系統(tǒng)：Image-Pro Plus 10.0，支持ASTM E112自動(dòng)評(píng)級(jí)

4. X射線衍射儀（XRD）：布魯克D8 ADVANCE,，Scherrer公式計(jì)算晶粒尺寸

5. 激光粒度分析儀：馬爾文Mastersizer 3000,，測(cè)量范圍0.01-3500μm

6. 電解拋光儀：斯特爾斯LectroPol-5,，用于金屬樣品制備

7. 離子研磨儀：日立IM4000Plus，非導(dǎo)電樣品處理

8. 超薄切片機(jī)：萊卡EM UC7,，高分子樣品制備

9. EBSD探測(cè)器：牛津儀器Symmetry S2,，角分辨率0.5°

10. 高溫共聚焦顯微鏡：激光tec VL2000DX-SVF17SP，實(shí)時(shí)觀察晶粒生長(zhǎng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)