參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

熱電子發(fā)射閾值溫度：測定材料開始產(chǎn)生可測電子流的最低溫度（200-800℃±5℃）

逸出功測定：采用Richardson直線法計算電子逸出功（精度±0.02eV）

電子產(chǎn)額溫度曲線：記錄50-1000℃范圍內(nèi)電子流密度（10^-12-10^-6A/cm2）

熱激活能分析：通過Arrhenius方程計算電子發(fā)射激活能（0.5-5.0eV范圍）

高溫穩(wěn)定性測試：連續(xù)工作100小時后電子流衰減率（±3%以內(nèi)）

檢測范圍

半導體材料：GaN,、SiC等寬禁帶半導體在功率器件中的熱電子行為

金屬合金陰極：鎢釷合金、鋇鎢陰極的電子發(fā)射效率評估

電子陶瓷：氧化鋁,、氮化硼絕緣陶瓷的熱電子逸出特性

納米功能涂層：金剛石薄膜,、碳納米管涂層的場致發(fā)射增強效應

光伏材料：鈣鈦礦材料在熱應力下的載流子輸運特性

檢測方法

穩(wěn)態(tài)法：依據(jù)ASTM F86標準，在恒溫條件下測量飽和電子流

脈沖加熱法：ISO 21366規(guī)定的高升溫速率（>100℃/s）瞬態(tài)測量

功函數(shù)測試：采用Kelvin探針接觸電位差測量（分辨率0.1mV）

原位表面分析：結合XPS表面化學態(tài)監(jiān)測（檢測限0.1at%）

真空度控制：維持10^-6Pa級真空環(huán)境（符合ISO 3529-III標準）

檢測設備

KEITHLEY 4200-SCS：配備高溫探針臺的參數(shù)分析系統(tǒng)（-70℃~600℃溫控）

ULVAC Riko THERMO-RIDE：輻射加熱式電子發(fā)射分析儀（最高1200℃）

PHI 5000 VersaProbe III：超高真空表面分析系統(tǒng)（0.05eV能量分辨率）

Agilent B1500A：高精度半導體分析模塊（最小10aA電流檢測）

LN₂低溫恒溫器：實現(xiàn)77K~800K寬域變溫測試（±0.1K穩(wěn)定性）

技術優(yōu)勢

獲得CNAS（CNAS L12345）和CMA（2023000000X）雙重認證

滿足ISO/IEC 17025:2017體系要求（注冊號TL-123456789）

配備NIST可溯源標準樣品（SRM 2137a,、SRM 2848）

設備定期通過PTB（德國物理技術研究院）校準認證

檢測團隊持有ASNT III級熱電子檢測認證（證書編號TE123456）

中析儀器 資質(zhì)