參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

晶軸取向偏差檢測(cè)

參數(shù)范圍：c軸與理想取向偏差≤0.5°

測(cè)量精度：±0.01°（2θ角）

晶格常數(shù)測(cè)定

參數(shù)范圍：a軸3.5-7.0?,，c軸5.0-16.0?

誤差容限：±0.005?

晶體對(duì)稱性分析

檢測(cè)指標(biāo)：三次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱軸偏差≤0.3°

鏡像對(duì)稱面偏離度＜1.2%

位錯(cuò)密度檢測(cè)

測(cè)量范圍：103-10?/cm2

分辨率：≥50nm級(jí)缺陷識(shí)別

熱膨脹系數(shù)測(cè)定

溫度范圍：-196℃至1200℃

各向異性比（α_c/α_a）偏差≤5%

檢測(cè)范圍

壓電晶體材料：α-石英、鉭酸鋰等三方晶系單晶

光學(xué)晶體材料：方解石（CaCO?）,、剛玉（α-Al?O?）

高溫結(jié)構(gòu)陶瓷：氮化硼（h-BN）,、碳化硅（α-SiC）

礦物標(biāo)本：白云石,、電氣石等三方晶系礦物

半導(dǎo)體材料：纖鋅礦結(jié)構(gòu)氮化鎵（GaN）單晶

檢測(cè)方法

檢測(cè)設(shè)備

X射線衍射儀

型號(hào)：PANalytical X'Pert3 MRD

功能：實(shí)現(xiàn)θ-2θ聯(lián)動(dòng)掃描,，晶軸取向精度達(dá)0.001°

電子背散射衍射系統(tǒng)

型號(hào)：Thermo Scientific Apreo 2 + Symmetry EBSD

功能：晶粒取向成像，空間分辨率≤50nm

高分辨透射電鏡

型號(hào)：JEOL JEM-ARM300F

功能：原子級(jí)位錯(cuò)密度測(cè)量,，加速電壓80-300kV

熱機(jī)械分析儀

型號(hào)：NETZSCH TMA 402 F3

功能：-150℃至1550℃各向異性膨脹系數(shù)測(cè)定

激光拉曼光譜儀

型號(hào)：HORIBA LabRAM HR Evolution

功能：晶體對(duì)稱性振動(dòng)模式分析,，光譜分辨率0.35cm?1

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)