參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

厚度檢測：范圍0.1nm~100μm,，精度±0.1nm（橢偏儀法）

載流子濃度：1e14~1e20 cm?3（霍爾效應(yīng)測試）

遷移率：100~10000 cm2/(V·s)（變溫霍爾測試）

表面粗糙度：Ra值0.1nm~10nm（原子力顯微鏡）

缺陷密度：1e2~1e6 cm?2（光致發(fā)光成像）

檢測范圍

單晶硅片（拋光片、外延片）

化合物半導(dǎo)體（GaAs,、InP,、GaN）

薄膜材料（SiO?、SiN,、Al?O?）

光電器件（LED、激光二極管）

功率器件（IGBT,、MOSFET）

檢測方法

厚度檢測：ASTM F2459（橢偏儀法）,、GB/T 32281-2015

載流子濃度：ASTM F76、GB/T 1550-2018

遷移率：ASTM F76、ISO 14707:2020

表面粗糙度：ISO 25178-2:2022,、GB/T 29505-2013

缺陷分析：SEMI MF1812（PL成像）,、GB/T 38976-2020（X射線衍射）

檢測設(shè)備

橢圓偏振儀：J.A. Woollam M-2000，支持寬光譜（190-1700nm）多層膜分析

霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)：Lake Shore 8404,，溫區(qū)10K~400K,，磁場強度2T

原子力顯微鏡：Bruker Dimension Icon，分辨率0.1nm（Z軸）

光致發(fā)光成像系統(tǒng)：Hamamatsu C12132,，光譜范圍300-1700nm

X射線衍射儀：PANalytical X'Pert3 MRD,，角度重復(fù)性±0.0001°

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準測試：嚴格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)