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單斜晶胞檢測(cè)

2025-03-10 關(guān)鍵詞:?jiǎn)涡本О麥y(cè)試周期,單斜晶胞項(xiàng)目報(bào)價(jià),單斜晶胞測(cè)試儀器 相關(guān):
單斜晶胞檢測(cè)

單斜晶胞檢測(cè)摘要:單斜晶系作為七大晶系之一,其晶胞參數(shù)的精確測(cè)定對(duì)材料性能分析具有重要意義,。本文系統(tǒng)闡述單斜晶胞檢測(cè)的核心項(xiàng)目,、適用范圍及標(biāo)準(zhǔn)化方法,,重點(diǎn)涵蓋晶格常數(shù),、晶面間距等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量規(guī)范,涉及X射線衍射,、電子背散射衍射等技術(shù)手段,,為材料表征提供專業(yè)檢測(cè)參考。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

晶格常數(shù)測(cè)定:a軸(5-15?),、b軸(5-12?)、c軸(5-10?),、β角(90°-120°)

晶面間距分析:(hkl)晶面間距測(cè)量(0.5-5.0nm)及相對(duì)誤差控制(≤0.1%)

晶體取向測(cè)定:取向偏差角(≤2°)及織構(gòu)系數(shù)(0.9-1.1)

熱膨脹系數(shù)檢測(cè):αabc軸向系數(shù)(1×10-6-30×10-6 K-1

晶體缺陷分析:位錯(cuò)密度(104-108 cm-2),、層錯(cuò)能(10-200 mJ/m2

檢測(cè)范圍

金屬合金:航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片用鎳基高溫合金、鈦鋁合金結(jié)構(gòu)件

陶瓷材料:氧化鋯基固體電解質(zhì),、壓電陶瓷元件

半導(dǎo)體材料:碲化鉍熱電材料,、磷化銦襯底

高分子材料:液晶聚合物(LCP)薄膜、聚醚醚酮(PEEK)注塑件

礦物樣品:?jiǎn)涡陛x石族礦物,、石膏晶體標(biāo)本

檢測(cè)方法

X射線衍射法:ASTM E112-13,、GB/T 13298-2015

電子背散射衍射:ISO 24173:2009、GB/T 38885-2020

中子衍射分析:ISO 21484:2017

透射電子顯微鏡:ASTM E3060-16,、GB/T 27788-2020

同步輻射技術(shù):ISO 18279:2022

檢測(cè)設(shè)備

X射線衍射儀:Rigaku SmartLab(2θ范圍:3°-160°,,分辨率:0.0001°)

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡:FEI Nova NanoSEM 450(分辨率:1.0nm@15kV)

電子背散射衍射系統(tǒng):Oxford Instruments Symmetry(角分辨率:0.5°)

高溫XRD附件:Anton Paar HTK1200N(溫度范圍:-190°C-1200°C)

熱膨脹儀:Netzsch DIL 402 Expedis(位移分辨率:0.125nm)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急,。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)

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