參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

位錯(cuò)密度測(cè)定：測(cè)量單位體積內(nèi)位錯(cuò)線(xiàn)數(shù)量（范圍：1e8-1e12 cm?2）

位錯(cuò)分布均勻性分析：統(tǒng)計(jì)區(qū)域內(nèi)位錯(cuò)間距標(biāo)準(zhǔn)差（精度±0.5 nm）

平均位錯(cuò)間距計(jì)算：基于TEM圖像采集100組以上有效數(shù)據(jù)點(diǎn)

位錯(cuò)間距變異系數(shù)：CV值控制在5%-15%區(qū)間

界面位錯(cuò)密度測(cè)量：晶界/相界處位錯(cuò)密度梯度（分辨率0.1 μm）

檢測(cè)范圍

金屬合金：鎳基高溫合金,、鈦鋁合金、奧氏體不銹鋼

半導(dǎo)體材料：?jiǎn)尉Ч?、砷化鎵,、氮化鎵外延?/p>

高溫結(jié)構(gòu)材料：碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料

納米結(jié)構(gòu)材料：納米晶銅、多層金屬薄膜

功能涂層：熱障涂層（TBCs）,、金剛石類(lèi)碳膜（DLC）

檢測(cè)方法

ASTM E112-13：位錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì)分析方法

ISO 16700:2019：TEM圖像校準(zhǔn)與測(cè)量規(guī)范

GB/T 13305-2008：金屬材料位錯(cuò)觀測(cè)通則

ASTM F1946-21：半導(dǎo)體材料缺陷表征規(guī)程

GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

檢測(cè)設(shè)備

JEOL JEM-ARM200F：球差校正透射電鏡,，分辨率0.08 nm，配備Gatan K2-IS直接電子探測(cè)器

FEI Talos F200X：場(chǎng)發(fā)射透射電鏡,，支持STEM-HAADF成像與能譜分析（EDS）

Bruker D8 Discover：高分辨率X射線(xiàn)衍射儀,，配備VANTEC-500二維探測(cè)器

Zeiss Sigma 500：場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM），電子束分辨率0.6 nm

Oxford Instruments Symmetry：電子背散射衍射儀（EBSD）,，角分辨率0.5°

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)