參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

表面微裂紋檢測：裂紋寬度0.1-5μm,，長度≥10μm,，檢測分辨率0.05μm

顆粒污染物分析：粒徑范圍0.05-2μm，密度檢測限≤5個/cm2

晶界腐蝕評估：腐蝕深度10-200nm,，橫向擴散范圍±0.5μm

鍍層缺陷檢測：針孔密度≤3個/mm2，厚度偏差±5%

微觀劃痕測量：寬度0.2-10μm,，深度20-500nm,，長度方向一致性誤差≤5%

檢測范圍

金屬材料：鈦合金表面氧化層缺陷、不銹鋼晶間腐蝕

半導體器件：硅晶圓表面金屬污染,、光刻膠殘留物

光學元件：透鏡表面劃痕,、AR鍍層針孔

高分子材料：醫(yī)用導管表面微裂紋、離型膜顆粒污染

復合材料：碳纖維增強環(huán)氧樹脂界面缺陷檢測

檢測方法

ASTM E112-13：晶粒尺寸測定標準中暗場顯微術(shù)應用規(guī)范

ISO 14606:2015：表面化學分析-掃描探針顯微鏡暗場檢測程序

GB/T 26645.1-2021：顆粒物測定-光學顯微法第1部分：暗視場法

ASTM F3128-17：半導體晶圓表面金屬污染物檢測指南

ISO 21222:2020：表面缺陷表征-暗場光學顯微術(shù)通用要求

檢測設備

Olympus DSX1000數(shù)碼顯微鏡：配備暗視場物鏡組（NA 0.8-1.4）,，可實現(xiàn)50-1000X連續(xù)變倍觀察

Zeiss Axio Imager M2m：配置DIC微分干涉組件,，支持明/暗場快速切換，最大分辨率0.12μm

Keyence VHX-7000：集成多角度環(huán)形照明系統(tǒng),，三維表面重構(gòu)精度±0.1μm

Leica DM8000 M：專用暗場顯微模塊,，支持熒光聯(lián)用檢測，光譜范圍365-750nm

Shimadzu SALD-7500nano：激光散射式粒度分析儀,，暗場模式下可檢測10nm-3μm顆粒

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)