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芯片引腳嗎漏漏電流檢測

2025-03-15 關(guān)鍵詞:芯片引腳嗎漏漏電流測試范圍,芯片引腳嗎漏漏電流測試方法,芯片引腳嗎漏漏電流項(xiàng)目報(bào)價(jià) 相關(guān):
芯片引腳嗎漏漏電流檢測

芯片引腳嗎漏漏電流檢測摘要:芯片引腳漏電流檢測是評估集成電路可靠性的核心環(huán)節(jié),主要針對反向偏置條件下的絕緣性能與材料缺陷進(jìn)行量化分析,。關(guān)鍵指標(biāo)包括靜態(tài)/動(dòng)態(tài)漏電流閾值,、溫升效應(yīng)偏差及介質(zhì)耐壓能力等參數(shù)。需通過標(biāo)準(zhǔn)化測試流程驗(yàn)證引腳鍍層完整性,、封裝氣密性及基材電化學(xué)穩(wěn)定性,。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

反向偏置漏電流(Reverse Bias Leakage):測量電壓范圍5-100V DC下泄漏電流值(nA~μA級)

絕緣電阻(Insulation Resistance):施加500V DC時(shí)阻值≥10^12Ω

溫度特性漂移(ΔI@T):-55℃~150℃溫區(qū)內(nèi)漏電流變化率≤15%

介質(zhì)耐壓(Dielectric Withstand):AC 2500V/60s無擊穿現(xiàn)象

表面離子污染度(Ionic Contamination):Na+含量≤1.56μg/cm2(IPC-TM-650 2.3.25)

檢測范圍

QFP/LQFP封裝銅合金引腳

BGA封裝錫銀焊球陣列

SOP封裝修形鍍金引線框架

TO系列功率器件鋁基引腳

晶圓級CSP封裝微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)

檢測方法

GB/T 4937-2023《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》第3.5節(jié)

IEC 60749-27:2020半導(dǎo)體器件濕熱偏置試驗(yàn)規(guī)范

JESD22-A114F靜電放電敏感度分級標(biāo)準(zhǔn)

ASTM F1241-22表面絕緣電阻測試規(guī)程

ISO 14647:2023微電子器件潔凈度評估方法

檢測設(shè)備

Keysight B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀:支持10fA~1A量程的精密電流測量

Tektronix PA3000高阻計(jì):可測最高10^16Ω絕緣電阻值

ESPEC SH-642恒溫恒濕箱:溫度精度±0.5℃,,濕度波動(dòng)度±2%RH

Chroma 19032耐壓測試儀:輸出AC 5kV/DC 6kV介質(zhì)擊穿試驗(yàn)

PVA TePla Contaminometer CCM600離子色譜分析系統(tǒng):分辨率0.01μg/cm2

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期:7~15工作日,,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)

中析芯片引腳嗎漏漏電流檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢詳細(xì)檢測項(xiàng)目,,請咨詢在線工程師

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