參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.位移損傷劑量（DDD）測(cè)定：測(cè)量單位體積原子位移數(shù)（dpa），精度0.05dpa

2.電性能退化分析：載流子濃度變化量（Δn≤110?cm?）,、遷移率衰減率（μ/μ?≥80%）

3.微觀結(jié)構(gòu)表征：位錯(cuò)密度（≥110?m?）,、空洞尺寸分布（0.5-50nm）

4.機(jī)械性能測(cè)試：屈服強(qiáng)度變化率（Δσ/σ?≤15%）、斷裂韌性KIC值（≥30MPam/）

5.熱導(dǎo)率衰減監(jiān)測(cè)：導(dǎo)熱系數(shù)下降幅度（Δλ/λ?≤25%@300K）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體材料：硅基器件,、GaN功率器件,、SiC襯底

2.金屬合金：鋯合金包殼管、奧氏體不銹鋼結(jié)構(gòu)件

3.高分子材料：PTFE密封件,、EPDM絕緣層

4.光學(xué)元件：石英玻璃視窗,、ZnSe紅外透鏡

5.生物醫(yī)學(xué)材料：聚乙烯人工關(guān)節(jié)、鈦合金植入體

檢測(cè)方法

ASTME521-16：帶電粒子輻照試驗(yàn)規(guī)程（1-50MeV質(zhì)子/重離子）

ISO12749-4:2020：核能應(yīng)用材料中子輻照效應(yīng)評(píng)估

GB/T26168.1-2010：電氣絕緣材料γ射線(xiàn)輻照試驗(yàn)方法

ASTMF1467-18：電子器件總劑量輻射效應(yīng)測(cè)試

GB/T36018-2018：空間用半導(dǎo)體器件位移損傷劑量測(cè)試規(guī)范

檢測(cè)設(shè)備

1.Tandetron4117A串列加速器：提供1-10MeV質(zhì)子束流,，束流強(qiáng)度0.1-100nA

2.ThermoScientificApreo2SEM：分辨率0.7nm@15kV,，配備EDS/EBSD聯(lián)用系統(tǒng)

3.JEOLJEM-ARM300FTEM：點(diǎn)分辨率0.08nm，支持原位輻照觀測(cè)

4.NetzschLFA467HTHyperFlash：熱擴(kuò)散系數(shù)測(cè)量范圍0.1-2000mm/s

5.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：IV/CV測(cè)試精度0.3%,，最大電壓200V

6.Instron8862萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)：載荷范圍100kN,，應(yīng)變測(cè)量精度0.5%

7.BrukerD8ADVANCEXRD：Cu靶Kα輻射（λ=0.154nm），角度重復(fù)性0.0001

8.OxfordInstrumentsMicrostatN2低溫恒溫器：溫度范圍80-500K,，控溫精度0.1K

9.ORTECHPGeγ譜儀：能量分辨率≤[email protected]

10.FLIRX8500SC紅外熱像儀：熱靈敏度15mK@30℃,，幀頻180Hz

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)