參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶格常數(shù)a值測(cè)定：測(cè)量面心立方（FCC）結(jié)構(gòu)的單胞邊長(zhǎng)，精度0.0001nm

2.晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型驗(yàn)證：確認(rèn)α-Cu相純度（＞99.99%）及異常相檢出限（＜0.005%）

3.晶粒尺寸分布分析：測(cè)量范圍50nm-500μm,，分辨率≤10nm

4.位錯(cuò)密度計(jì)算：通過(guò)XRD半高寬法測(cè)定（10¹²-10¹⁵m/m）

5.微應(yīng)變參數(shù)測(cè)定：ε＜0.2%時(shí)相對(duì)誤差≤5%

檢測(cè)范圍

1.高純電解銅材（Cu-CATH-1級(jí)）的晶體完整性評(píng)估

2.銅合金材料（C11000/C12200等）的固溶體結(jié)構(gòu)分析

3.電子元器件引線框架用無(wú)氧銅（OFC）的織構(gòu)取向測(cè)定

4.金屬鍍層中納米銅層的晶格畸變率測(cè)試

5.3D打印銅基材料的熔池凝固組織表征

檢測(cè)方法

1.ASTME975-20：X射線衍射法測(cè)定殘余應(yīng)力與晶格常數(shù)

2.ISO18279:2017：電子背散射衍射（EBSD）晶體取向分析

3.GB/T13298-2015：金相顯微鏡法觀察晶粒形貌與尺寸

4.GB/T8362-2018：透射電鏡（TEM）位錯(cuò)密度定量測(cè)試

5.ISO24173:2019：選區(qū)電子衍射（SAED）微區(qū)結(jié)構(gòu)解析

檢測(cè)設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：配備9kW旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極靶,，可測(cè)2θ范圍5-165

2.JEOLJSM-7900F場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：搭配OxfordSymmetryEBSD探測(cè)器

3.OlympusBX53M金相顯微鏡：配備DP27數(shù)碼相機(jī)及Stream圖像分析軟件

4.FEITalosF200X透射電鏡：STEM模式分辨率0.16nm

5.BrukerD8DISCOVERX射線應(yīng)力分析儀：Ψ角掃描范圍45

6.MalvernPanalyticalEmpyrean多晶衍射儀：配備高溫附件（RT-1600℃）

7.ZeissSigma500熱場(chǎng)發(fā)射SEM：二次電子分辨率0.6nm@15kV

8.ShimadzuXRD-7000多功能衍射儀：配備薄膜掠入射附件（GI-XRD）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)