參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.載流子濃度（n/p）：測量范圍1E12~1E20cm?,，精度3%

2.遷移率（μ）：測試范圍10~15000cm/(Vs),，溫度條件77K~300K

3.電阻率（ρ）：量程0.001~100Ωcm，四探針法1%重復(fù)性

4.載流子壽命（τ）：時間分辨率0.1ns~10ms,，微波光電導(dǎo)衰減法

5.摻雜濃度分布（Nd/Na）：縱向分辨率≤5nm,，二次離子質(zhì)譜深度剖析

檢測范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs),、磷化銦(InP)單晶片

2.光伏材料：多晶硅錠,、CIGS薄膜太陽能電池吸收層

3.電子器件：MOSFET溝道區(qū)、IGBT基區(qū)摻雜層

4.化合物半導(dǎo)體：氮化鎵(GaN)外延層,、碳化硅(SiC)襯底

5.納米電子材料：石墨烯異質(zhì)結(jié)、量子點發(fā)光層

檢測方法

1.霍爾效應(yīng)法：ASTMF76-08(2020),、GB/T1550-2018半導(dǎo)體導(dǎo)電類型判定

2.四探針法：GB/T1551-2009硅單晶電阻率測定

3.二次離子質(zhì)譜(SIMS)：ISO17560:2014深度剖析,、GB/T32281-2015半導(dǎo)體雜質(zhì)分析

4.電容-電壓法(C-V)：ASTMF1392-00(2020)載流子濃度測試

5.光致發(fā)光譜(PL)：ISO23125:2019半導(dǎo)體缺陷表征

檢測設(shè)備

1.Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：支持AC/DC霍爾效應(yīng)測量與C-V特性分析

2.AccentHL5500PC霍爾測試系統(tǒng)：配備0.55T永磁體與液氮杜瓦低溫組件

3.FourDimensions280SI四探針系統(tǒng)：自動壓力控制探頭(10g~500g可調(diào))

4.PHInanoTOFII飛行時間二次離子質(zhì)譜儀：質(zhì)量分辨率＞15,000@m/z=29

5.AgilentB1500A半導(dǎo)體器件分析儀：1μHz~1MHz寬頻C-V特性測試模塊

6.HoribaLabRAMHREvolution顯微拉曼光譜儀：配備325nm/532nm/785nm多波長激光源

7.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：檢出限＜0.1ppt的痕量摻雜元素分析

8.OxfordInstrumentsVersaProbeXPS：空間分辨率＜7.5μm的表面化學(xué)態(tài)分析

9.SemilabWT-2000少子壽命測試儀：微波反射式非接觸測量模式

10.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：PeakForceTapping模式表面形貌表征

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)