參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測項(xiàng)目

1. 輻射劑量均勻性：測量能量密度偏差≤±5%,，空間分辨率達(dá)0.1mm2

2. 晶格畸變恢復(fù)度：XRD測定晶格常數(shù)誤差≤0.002?

3. 表面殘余應(yīng)力：采用X射線衍射法（XRD）測試應(yīng)力范圍±2000MPa

4. 熱穩(wěn)定性驗(yàn)證：高溫保持試驗(yàn)（300-1200℃）時(shí)長2-48小時(shí)

5. 電導(dǎo)率變化率：四探針法測量精度±0.5μΩ·cm

檢測范圍

1. 金屬合金：鈦合金TC4/TA15、鎳基高溫合金GH4169/Inconel718

2. 半導(dǎo)體材料：硅晶圓（150-300mm）,、GaN襯底（2-6英寸）

3. 精密陶瓷：氧化鋁（Al?O?≥99%）,、氮化硅（Si?N?）

4. 聚合物基復(fù)合材料：碳纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂（CFRP層壓板）

5. 光學(xué)玻璃：BK7/SF6玻璃基板（面形精度λ/10）

檢測方法

1. ASTM E1256-17 熱輻射源校準(zhǔn)規(guī)范

2. ISO 18558:2015 非金屬材料輻射處理評(píng)價(jià)方法

3. GB/T 13301-2021 金屬材料殘余應(yīng)力測定方法

4. ASTM F1392-00(2021) 半導(dǎo)體晶片退火工藝標(biāo)準(zhǔn)

5. GB/T 4334-2020 金屬材料高溫氧化試驗(yàn)方法

檢測設(shè)備

1. Thermo Scientific ARL 9900 X射線衍射系統(tǒng)：晶格參數(shù)分析（精度0.0001?）

2. Bruker D8 ADVANCE殘余應(yīng)力儀：Ψ角掃描范圍±45°

3. Keysight B2902A精密源表：電導(dǎo)率測試分辨率1nA

4. FLIR A655sc紅外熱像儀：溫度分辨率0.03℃@30Hz

5. Instron 8862電子萬能試驗(yàn)機(jī)：載荷精度±0.5%

6. Malvern Panalytical Empyrean XRD：二維應(yīng)力測繪功能

7. Netzsch STA 449 F3同步熱分析儀：最高溫度1600℃

8. Olympus DSX1000數(shù)碼顯微鏡：景深合成分辨率20nm

9. Agilent 4294A阻抗分析儀：頻率范圍40Hz-110MHz

10. ZEISS Sigma 500場發(fā)射電鏡：分辨率0.8nm@15kV

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)