參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶格常數(shù)偏差測(cè)定：測(cè)量精度±0.001 ?（埃）,，支持單晶/多晶材料三維方向參數(shù)校準(zhǔn)

2. 位錯(cuò)密度分析：分辨率≤1×10⁶ cm^-2，可識(shí)別刃型/螺型位錯(cuò)形態(tài)

3. 晶界結(jié)構(gòu)表征：取向差角測(cè)量范圍0.1°-180°,，支持Σ值計(jì)算與界面能評(píng)估

4. 層錯(cuò)能測(cè)定：測(cè)試范圍0.1-1000 mJ/m2,，適用于面心立方/密排六方晶體體系

5. 殘余應(yīng)力分布：空間分辨率50 nm，深度剖面測(cè)量精度±10 MPa

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體材料：硅(Si),、氮化鎵(GaN)等單晶晶圓及外延薄膜

2. 金屬合金：鈦合金(Ti-6Al-4V),、鎳基高溫合金(IN718)等鍛造/鑄造件

3. 陶瓷材料：氧化鋁(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)等燒結(jié)體與涂層

4. 高分子晶體材料：聚乙烯(PE),、聚丙烯(PP)等半結(jié)晶聚合物

5. 光學(xué)晶體材料：鈮酸鋰(LiNbO₃),、氟化鈣(CaF₂)等功能晶體

檢測(cè)方法

1. X射線衍射法(XRD)：ASTM E975-20《殘余應(yīng)力測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)》、GB/T 8362-2018《金屬材料X射線應(yīng)力測(cè)定方法》

2. 透射電子顯微術(shù)(TEM)：ISO 25498:2018《微束分析-透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法》

3. 電子背散射衍射(EBSD)：ASTM E2627-19《取向成像顯微術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南》

4. 拉曼光譜法：GB/T 36165-2018《表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜和拉曼光譜》

5. 中子衍射法：ISO 21484:2017《核能裝置用材料的殘余應(yīng)力測(cè)定》

檢測(cè)設(shè)備

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)