參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

位錯(cuò)誤率（BER）：測(cè)量單位時(shí)間內(nèi)錯(cuò)誤比特占比,，閾值≤1E-12

存儲(chǔ)單元均勻性：掃描分析單元尺寸偏差,，允許波動(dòng)范圍±3%

信號(hào)噪聲比（SNR）：量化有效信號(hào)與背景噪聲強(qiáng)度比，基準(zhǔn)值≥30dB

寫入/擦除耐久度：循環(huán)測(cè)試次數(shù)≥1E6次后性能衰減≤5%

熱穩(wěn)定性：高溫85℃環(huán)境下保持時(shí)間≥1000小時(shí)無(wú)數(shù)據(jù)丟失

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體晶圓：12英寸硅基晶圓及III-V族化合物晶圓

磁性存儲(chǔ)介質(zhì)：垂直磁記錄硬盤,、磁光混合存儲(chǔ)薄膜

光存儲(chǔ)介質(zhì)：藍(lán)光光盤,、全息存儲(chǔ)玻璃基板

集成電路芯片：3D NAND閃存芯片、MRAM存儲(chǔ)器

量子比特器件：超導(dǎo)量子芯片拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)表面分析

檢測(cè)方法

ASTM F1241-22：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元電學(xué)特性測(cè)試規(guī)范

ISO/IEC 29112:2020：光存儲(chǔ)介質(zhì)位密度驗(yàn)證方法

GB/T 26248-2021：磁記錄介質(zhì)物理性能測(cè)試通則

IEC 62679-3-1：柔性電子器件存儲(chǔ)特性評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 36450.4-2018：閃存芯片可靠性試驗(yàn)方法

檢測(cè)設(shè)備

Keysight B1500A半導(dǎo)體分析儀：支持pA級(jí)電流精度測(cè)量與高頻信號(hào)響應(yīng)分析

Veeco Dimension Icon原子力顯微鏡：實(shí)現(xiàn)5nm空間分辨率表面形貌掃描

Oxford Instruments NanoAnalysis EDS：執(zhí)行元素分布與晶體結(jié)構(gòu)同步表征

Advantest T2000測(cè)試系統(tǒng)：完成128通道并行存儲(chǔ)器功能驗(yàn)證

Agilent N9020B信號(hào)分析儀：支持40GHz帶寬信號(hào)完整性測(cè)試

Thermo Fisher Helios G4 UXe雙束電鏡：提供亞納米級(jí)截面制備與成像能力

Bruker Dimension XR掃描探針平臺(tái)：實(shí)現(xiàn)磁疇結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性原位關(guān)聯(lián)分析

Anritsu MP1900A誤碼率測(cè)試儀：支持28Gbps高速信號(hào)BER測(cè)量

Cascade Summit 12000探針臺(tái)：滿足300mm晶圓全自動(dòng)參數(shù)測(cè)試需求

Hitachi HF5000透射電鏡：執(zhí)行原子級(jí)存儲(chǔ)界面缺陷觀測(cè)與分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)