參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1. 晶胞參數(shù)測定：測量單胞a/b/c軸長度（精度±0.0001nm）及α/β/γ軸間夾角（精度±0.01°）

2. 晶面間距計(jì)算：基于布拉格方程計(jì)算d值（分辨率≤0.0005nm）

3. 晶體對稱性分析：確定立方/六方/四方等7大晶系歸屬

4. 熱膨脹系數(shù)測定：溫度范圍-196℃~1600℃下的晶格畸變量

5. 殘余應(yīng)力分析：通過晶格畸變反推應(yīng)力值（靈敏度≥10MPa）

檢測范圍

1. 金屬合金：包括鋁合金（AA2000/7000系列）,、鈦合金（Ti-6Al-4V）等

2. 半導(dǎo)體材料：硅基芯片（<111>/<100>晶向）,、GaN外延層等

3. 陶瓷材料：氧化鋯（YSZ）、碳化硅（β-SiC）結(jié)構(gòu)陶瓷

4. 高分子材料：聚乙烯（PE）單晶薄膜,、聚丙烯（PP）球晶

5. 納米材料：量子點(diǎn)（CdSe）,、金屬有機(jī)框架（MOFs）晶體

檢測方法

1. ASTM E975-20：X射線衍射法殘余應(yīng)力測定標(biāo)準(zhǔn)

2. ISO 22278:2020：單晶XRD分析技術(shù)規(guī)范

3. GB/T 23415-2021：電子背散射衍射晶體學(xué)分析方法

4. GB/T 30704-2014：X射線熒光光譜法測定氧化物含量

5. JIS K 0131-2022：高分辨透射電鏡晶格成像規(guī)程

檢測設(shè)備

1. Rigaku SmartLab X射線衍射儀：配備9kW旋轉(zhuǎn)陽極靶，支持θ-2θ聯(lián)動掃描

2. Bruker D8 Discover XRD系統(tǒng)：配置Eulerian cradle實(shí)現(xiàn)三維空間取向分析

3. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam FIB-SEM：集成EBSD探測器（分辨率≤4nm）

4. JEOL JEM-ARM300F球差校正電鏡：點(diǎn)分辨率達(dá)0.05nm的原子級成像系統(tǒng)

5. Malvern Panalytical Empyrean XRD平臺：配備PIXcel3D探測器及高溫附件

6. Oxford Instruments Symmetry EBSD探測器：支持1000模式/秒高速采集

7. Shimadzu XRD-7000衍射儀：配備石墨單色器及自動樣品交換器

注意事項(xiàng)

1. 樣品表面粗糙度需控制≤Ra 0.1μm（SEMI MF1812標(biāo)準(zhǔn)）

2. XRD測試時(shí)需校正儀器零點(diǎn)漂移（每周校準(zhǔn)一次）

3. TEM樣品厚度應(yīng)≤100nm以避免多重散射效應(yīng)

4. EBSD分析需保持樣品傾角70°±0.5°（ISO 24173規(guī)定）

5. 高溫測試需采用Pt-Rh熱電偶進(jìn)行溫度校準(zhǔn)（ASTM E220規(guī)范）

6. 多相材料應(yīng)進(jìn)行Rietveld全譜擬合定量分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)