參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1.載流子濃度：測量范圍1e15-1e18cm?,，精度3%

2.遷移率測試：溫度范圍77-400K,，磁場強度0-1.5T

3.載流子壽命：時間分辨率10ns-10s

4.陷阱密度：能量分辨率0.01eV

5.溫度依賴性：溫控精度0.1K

檢測范圍

1.半導體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)

2.光伏材料：鈣鈦礦薄膜,、非晶硅薄膜

3.透明導電薄膜：ITO、AZO

4.電子元器件：MOSFET,、IGBT功率器件

5.納米結構材料：量子點薄膜,、二維過渡金屬硫化物

檢測方法

1.霍爾效應測試：ASTMF76,GB/T15519

2.光電導衰減法：SEMIMF1535,IEC62969

3.深能級瞬態(tài)譜法：ISO18562,GB/T35011

4.時間分辨熒光光譜：ISO22737,ASTME2977

5.掃描探針顯微術：ISO11039,GB/T35009

檢測設備

1.Keithley4200A-SCS參數分析儀：IV/CV特性測試

2.AgilentB1500A半導體分析儀：高頻C-V特性測量

3.LakeShoreCRX-VF低溫探針臺：77-500K變溫測試

4.PhysTechRH2030霍爾效應系統(tǒng)：0-2T磁場發(fā)生裝置

5.KeysightB2901A精密源表：pA級微弱電流測量

6.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：納米級載流子成像

7.HoribaFluoroMax-4熒光光譜儀：時間分辨率達50ps

8.OxfordInstrumentsOptistatDN2閉循環(huán)恒溫器：10-350K控溫

9.TektronixDPO7254示波器：2.5GHz帶寬信號采集

10.NewportOrielSol3A太陽模擬器：AM1.5G光譜匹配度2%

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務,。

中析儀器 資質