參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

1.晶格常數(shù)測定：測量范圍0.1-10nm,，精度0.001nm

2.晶體缺陷密度分析：位錯密度檢測限110?-110cm?

3.晶粒尺寸分布測量：粒徑范圍10nm-500μm

4.取向偏差角測定：角度分辨率≤0.1

5.殘余應力分析：應力測量范圍2000MPa

檢測范圍

1.金屬單質(zhì)材料：鋁、銅等純金屬單晶試樣

2.陶瓷氧化物材料：MgO,、Al?O?等燒結體

3.半導體單晶硅片：直徑≤300mm晶圓

4.納米粉末材料：粒徑≤100nm的金屬/氧化物粉末

5.合金材料：Fe-Cr-Al系高溫合金多晶體

檢測方法

1.X射線衍射法：ASTME975（織構分析）,、GB/T8362（殘余應力）

2.電子背散射衍射：ISO24173（取向成像）

3.透射電子顯微鏡法：GB/T23414（缺陷表征）

4.同步輻射分析法：ISO22278（高分辨結構解析）

5.金相檢驗法：GB/T13298（晶粒度評級）

檢測設備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：配備高分辨測角器（精度0.0001）

2.ZEISSSigma500場發(fā)射掃描電鏡：分辨率0.8nm@15kV

3.FEITalosF200X透射電鏡：配備SuperX能譜系統(tǒng)

4.BrukerD8DiscoverGADDS微區(qū)衍射系統(tǒng)：光束尺寸50μm

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測器：采集速度≥3000點/秒

6.ShimadzuXRD-7000應力分析儀：Ψ角范圍45

7.MalvernMastersizer3000激光粒度儀：測量范圍10nm-3.5mm

8.HysitronTIPremier納米壓痕儀：載荷分辨率1nN

9.NetzschDIL402C熱膨脹儀：溫度范圍-150-1600℃

10.Keysight5500原子力顯微鏡：Z軸分辨率0.1nm

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務,。

中析儀器 資質(zhì)