參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶面間距測(cè)量：分辨率≤0.02nm,，測(cè)量范圍0.1-0.5nm

2.晶格取向偏差分析：角度精度0.1,，偏差范圍0.5

3.缺陷密度評(píng)估：缺陷識(shí)別尺寸≥0.3nm，統(tǒng)計(jì)誤差≤5%

4.晶體相變表征：相變溫度范圍-196C~1200C

5.應(yīng)力應(yīng)變分布檢測(cè)：應(yīng)變分辨率≤0.1%,，空間分辨率≤2nm

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體材料：硅(Si),、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)單晶

2.金屬及合金：鋁合金(Al6061),、鈦合金(Ti-6Al-4V),、高溫鎳基合金

3.陶瓷材料：氧化鋁(Al?O?)、氧化鋯(ZrO?)及壓電陶瓷

4.納米顆粒：金納米顆粒(AuNPs),、四氧化三鐵(Fe?O?)量子點(diǎn)

5.二維材料：石墨烯,、二硫化鉬(MoS?)、六方氮化硼(h-BN)

檢測(cè)方法

1.ASTME766:SEM圖像校準(zhǔn)規(guī)范

2.ISO25498:TEM選區(qū)電子衍射(SAED)分析方法

3.GB/T17359:能譜儀(EDS)定量分析通則

4.ISO16700:場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)操作規(guī)范

5.GB/T23414:電子背散射衍射(EBSD)晶體學(xué)分析

6.ASTMF1877:高分辨TEM晶格成像標(biāo)準(zhǔn)

檢測(cè)設(shè)備

1.FEITecnaiG2F20TEM：點(diǎn)分辨率0.24nm,，配備Gatan成像濾波系統(tǒng)

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正電鏡：信息分辨率0.08nm

3.ZeissSigma500場(chǎng)發(fā)射SEM：二次電子分辨率0.6nm@15kV

4.BrukerQuantaxEDS系統(tǒng)：能量分辨率129eV@MnKα

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器：角分辨率0.1

6.GatanK3-IS相機(jī)：16位動(dòng)態(tài)范圍,，支持4K4K成像

7.HitachiHF5000冷場(chǎng)發(fā)射TEM：加速電壓200kV

8.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：定位精度5nm

9.JEOLJEM-2800STEM：探針電流0.1pA-100nA連續(xù)可調(diào)

10.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡(AFM)：Z軸噪聲<0.05nm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)