參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項(xiàng)目

1. 元素成分分析：檢測限達(dá)ppb級,，質(zhì)量分辨率＞10,000（m/Δm）

2. 深度剖析：縱向分辨率＜1nm,，濺射速率0.1-10nm/s

3. 同位素比值測定：精度±0.1‰（δ值）

4. 表面污染檢測：檢出限＜1×10¹² atoms/cm²

5. 三維成像分析：空間分辨率≤50nm（XY方向）

檢測范圍

1. 半導(dǎo)體材料：硅基芯片,、GaN外延層摻雜濃度分布

2. 金屬材料：高溫合金晶界偏析、腐蝕層成分分析

3. 生物樣品：細(xì)胞膜元素標(biāo)記,、藥物分子組織滲透研究

4. 地質(zhì)樣品：鋯石U-Pb定年,、隕石同位素異常檢測

5. 陶瓷材料：晶界擴(kuò)散系數(shù)測定、多層結(jié)構(gòu)界面分析

檢測方法

ASTM E1504-11：動態(tài)SIMS定量分析標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程

ISO 18114:2021：次級離子質(zhì)譜法校準(zhǔn)規(guī)范

GB/T 32281-2015：半導(dǎo)體材料二次離子質(zhì)譜分析方法

GB/T 40129-2021：表面化學(xué)分析-次級離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告規(guī)范

ISO 23812:2021：硅中硼的深度剖析參考方法

檢測設(shè)備

1. CAMECA IMS 7f-Auto：磁式扇形質(zhì)譜儀,，配備雙等離子體源（O₂⁺/Cs⁺）,，質(zhì)量分辨率20,000

2. ION-TOF TOF.SIMS 5：飛行時(shí)間質(zhì)譜系統(tǒng)，配備30kV Bi_n⁺團(tuán)簇源,，空間分辨率40nm

3. NanoSIMS 50L：多接收器型儀器,，支持7個并行探測器，同位素比精度0.2‰

4. PHI nanoTOF II：脈沖電子中和系統(tǒng),，適用于絕緣樣品分析

5. Hiden Analytical SIMS Workstation：配備H^-源的低能離子槍（0.5-5keV）

6. Cameca SC Ultra：配備RF等離子體源（O₂^-/O_-）,，深度分辨率0.3nm/decade

7. Thermo Scientific SIMS 4550：四極桿-飛行時(shí)間串聯(lián)質(zhì)譜系統(tǒng)

8. Ulvac-PHI ADEPT-1010：高傳輸效率能量過濾器（能量帶寬±1eV）

9. AMETEK SIMS 1280-HR：高分辨率多接收系統(tǒng)（質(zhì)量分散度300mm）

10. OMNILAB SIMS-3000：集成FIB-SEM聯(lián)用模塊的三維重構(gòu)系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)