半導(dǎo)體材料測(cè)試摘要:檢測(cè)項(xiàng)目:半導(dǎo)體材料測(cè)試,北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所,,可為您出具低維半導(dǎo)體材料,、寬帶隙半導(dǎo)體材料等各種半導(dǎo)體材料測(cè)試報(bào)告。我所是正規(guī)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),,始終以科學(xué)研究為首任,,以客戶為中心,在嚴(yán)格的程序下開展檢測(cè)工作,,為客戶提供產(chǎn)品檢測(cè)及質(zhì)量控制的解決方案,, 竭誠(chéng)為廣大客戶提供科學(xué)的檢驗(yàn)檢測(cè)、研發(fā)分析服務(wù),。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。
檢測(cè)項(xiàng)目:半導(dǎo)體材料測(cè)試
檢測(cè)周期:7-15個(gè)工作日出具測(cè)試報(bào)告。
檢測(cè)費(fèi)用:樣品初檢后結(jié)合客戶檢測(cè)需求以及實(shí)驗(yàn)復(fù)雜程度進(jìn)行報(bào)價(jià),。
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所,,可為您出具低維半導(dǎo)體材料、寬帶隙半導(dǎo)體材料等各種半導(dǎo)體材料測(cè)試報(bào)告,。我所是正規(guī)的科研測(cè)試機(jī)構(gòu),,始終以科學(xué)研究為首任,,以客戶為中心,在嚴(yán)格的程序下開展檢測(cè)工作,,為客戶提供產(chǎn)品檢測(cè)及質(zhì)量控制的解決方案,, 竭誠(chéng)為廣大客戶提供科學(xué)的檢驗(yàn)檢測(cè)、研發(fā)分析服務(wù),。
元素半導(dǎo)體,、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體等,。
CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985 半導(dǎo)體材料 硅制 2N2221型;極性:負(fù)極-正極-負(fù)極2N2221A型,封裝材料:2N2222金屬型,接頭包裝:2N2222A集流器
CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985 半導(dǎo)體材料 硅制 2N2906型;極性:負(fù)極-正極-負(fù)極2N2906A型,封裝材料:2N2907金屬型,接頭包裝:2N2907A集流器
DIN 50431-1988 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 用直線配置的四探針直流法測(cè)定硅和鍺單晶體的比電阻
DIN 50433-1-1976 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 用X 射線測(cè)向儀測(cè)定單晶體取向
DIN 50433-2-1976 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 用反射光影法測(cè)定單晶體取向
DIN 50433-3-1982 半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 用勞埃反射法測(cè)定單晶體取向
DIN 50434-1986 半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 單晶硅試樣的(111) 和(100) 蝕面上晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測(cè)定
DIN 50435-1988 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 四探針直流法測(cè)定硅或鍺片的比電阻徑向變化
DIN 50437-1979 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 用紅外線干涉法測(cè)量硅外延生長(zhǎng)層的的厚度
DIN 50438-1-1995 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn);用紅外吸收法測(cè)定硅中雜質(zhì)含量:第1部分:氧
DIN 50439-1982 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗(yàn); 用電容--電壓法和水銀接點(diǎn)確定晶朊半導(dǎo)體材料中摻雜物的斷面
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DIN 50441-1-1996 無機(jī)半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn);半導(dǎo)體片幾何尺寸的測(cè)量;第1部分:厚度和厚度變化
DIN 50441-2-1998 半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn);半導(dǎo)體片幾何尺寸的測(cè)量.第2部分:倒棱的檢驗(yàn)
DIN 50445-1992 半導(dǎo)體材料檢驗(yàn).電阻測(cè)量
DIN 50446-1995 半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn).硅外延層的缺陷類型和缺陷密度的測(cè)定
DIN 50452-1-1995 半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn).液體中粒子的分析方法.第1部分:顯微鏡測(cè)定粒子
GB/T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
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1,、寄樣:和工程師聯(lián)系咨詢 并郵寄樣品(支持上門取樣)
2、初檢:對(duì)樣品進(jìn)行初檢,,結(jié)合客戶需求確定具體檢測(cè)項(xiàng)目
3,、報(bào)價(jià):根據(jù)檢測(cè)的復(fù)雜程度進(jìn)行報(bào)價(jià)
4、雙方確定--簽訂保密協(xié)議,,開始實(shí)驗(yàn)
5,、完成實(shí)驗(yàn)
6、寄送報(bào)告:有完善的售后服務(wù),,可隨時(shí)咨詢
以上是關(guān)于半導(dǎo)體材料測(cè)試相關(guān)介紹,周期,、方法、步驟以工程師為準(zhǔn),,如樣品特殊可與工程師交流溝通樣品特性,,為您設(shè)計(jì)合理的檢測(cè)分析方案,節(jié)約您的時(shí)間,。
中析半導(dǎo)體材料測(cè)試 - 由于篇幅有限,,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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