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平移晶格檢測

2025-02-26 關(guān)鍵詞:平移晶格測試方法,平移晶格測試儀器,平移晶格測試周期 相關(guān):
平移晶格檢測

平移晶格檢測摘要:平移晶格檢測是分析材料內(nèi)部原子排列規(guī)律性的關(guān)鍵技術(shù),,重點評估晶格畸變,、缺陷分布及熱穩(wěn)定性等參數(shù),。檢測涵蓋半導(dǎo)體,、金屬合金、陶瓷等材料,,采用X射線衍射,、透射電鏡等手段,,依據(jù)ASTM,、ISO及GB標(biāo)準(zhǔn),,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性和檢測結(jié)果的可重復(fù)性。

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日,。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

晶格常數(shù)偏差:測量實際晶格參數(shù)與理論值的偏差范圍(±0.01-0.5?)

晶格取向偏差:分析晶體主軸與理想方向的偏離角度(0.01°-5°)

原子位移量:量化單胞內(nèi)原子平移矢量(0.001-0.1nm)

缺陷密度:統(tǒng)計單位體積內(nèi)位錯/空位數(shù)量(103-101?/cm3)

熱穩(wěn)定性:測定臨界相變溫度(300-1500K)

檢測范圍

半導(dǎo)體材料:硅,、砷化鎵,、氮化鎵等單晶/多晶材料

金屬合金:鎳基高溫合金、鈦鋁合金,、形狀記憶合金

陶瓷材料:氧化鋯,、碳化硅、壓電陶瓷

高分子復(fù)合材料:液晶聚合物,、共軛高分子薄膜

光學(xué)鍍膜材料:多層介質(zhì)膜,、金屬氧化物薄膜

檢測方法

X射線衍射法:ASTM E112(晶格參數(shù)測定)、GB/T 13298-2015(金屬顯微組織檢驗)

透射電子顯微鏡:ISO 24173(電子背散射衍射分析)

拉曼光譜法:ISO 20310(非晶材料結(jié)構(gòu)分析)

中子衍射法:GB/T 36075-2018(殘余應(yīng)力測試)

同步輻射分析:ASTM E2860(高分辨率晶格成像)

檢測設(shè)備

X射線衍射儀:Rigaku SmartLab 9kW,,配備高溫附件(-196°C-1600°C)

場發(fā)射透射電鏡:JEOL JEM-2100F,,點分辨率0.19nm

三維原子探針:CAMECA LEAP 5000XS,,質(zhì)量分辨率m/Δm>1500

拉曼光譜系統(tǒng):HORIBA LabRAM HR Evolution,,空間分辨率<1μm

同步輻射工作站:上海光源BL14B1線站,能量范圍5-20keV

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期:7~15工作日,,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)

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