參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

碲（Te）含量測(cè)定：檢測(cè)范圍0.01%-50%，精度±0.5%

鉛（Pb）含量測(cè)定：檢測(cè)范圍0.05%-60%,，精度±0.3%

雜質(zhì)元素分析：涵蓋Cu,、Fe、Ag等15種元素,，檢測(cè)限0.001ppm

物相組成分析：XRD半定量分析,，晶體結(jié)構(gòu)誤差≤2%

密度測(cè)試：測(cè)量范圍1-10g/cm3，分辨率0.01g/cm3

顯微硬度測(cè)試：負(fù)荷范圍10-1000g,，HV標(biāo)尺誤差±3%

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體用高純碲鉛礦原料

冶金工業(yè)碲鉛合金中間體

碲鉛基紅外光學(xué)材料

地質(zhì)礦物標(biāo)本及礦石樣品

電子元件封裝材料

檢測(cè)方法

ASTM E1621-22：X射線熒光光譜法測(cè)定主量元素

ISO 11885:2007：ICP-OES法檢測(cè)微量雜質(zhì)元素

GB/T 17413.1-2010：X射線衍射物相定量分析方法

GB/T 3850-2015：致密燒結(jié)金屬材料密度測(cè)定

ASTM E384-22：材料顯微硬度標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ISO 17294-2:2016：電感耦合等離子體質(zhì)譜法痕量分析

檢測(cè)設(shè)備

X射線熒光光譜儀（Shimadzu EDX-7000）：元素快速定量分析

多晶X射線衍射儀（Bruker D8 Advance）：晶體結(jié)構(gòu)解析

全譜直讀ICP-OES（PerkinElmer Avio 500）：多元素同步檢測(cè)

高精度密度計(jì)（Mettler Toledo XS204）：固體材料密度測(cè)量

顯微硬度測(cè)試系統(tǒng)（Wilson Wolpert 402MVA）：維氏/努氏硬度測(cè)定

微波消解儀（CEM Mars 6）：樣品前處理系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)