電子束檢測(cè)摘要:電子束檢測(cè)是一種基于高能電子束與物質(zhì)相互作用原理的分析技術(shù),,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué),、半導(dǎo)體制造及航空航天等領(lǐng)域,。其核心在于通過電子顯微成像,、能譜分析等手段實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)表征,、成分測(cè)定及缺陷定位。檢測(cè)需關(guān)注加速電壓穩(wěn)定性,、束流密度控制及樣品制備規(guī)范性等關(guān)鍵參數(shù),,確保數(shù)據(jù)精確性與重復(fù)性。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。
1. 表面形貌分析:分辨率≤1nm,,加速電壓0.1-30kV
2. 元素成分測(cè)定:能譜分辨率≤127eV(Mn-Kα),探測(cè)元素范圍B-U
3. 晶體結(jié)構(gòu)表征:衍射角精度±0.01°,,晶格常數(shù)誤差<0.5%
4. 缺陷定位分析:最小可檢缺陷尺寸10nm,,定位精度±5nm
5. 薄膜厚度測(cè)量:測(cè)量范圍1nm-10μm,誤差<3%
1. 金屬材料:鈦合金晶界分析,、高溫合金析出相鑒定
2. 半導(dǎo)體器件:晶圓線寬測(cè)量,、芯片焊點(diǎn)空洞檢測(cè)
3. 高分子材料:共混物相分布觀察、纖維取向度測(cè)定
4. 陶瓷材料:晶粒尺寸統(tǒng)計(jì),、氣孔率計(jì)算
5. 生物樣品:細(xì)胞超微結(jié)構(gòu)觀察,、納米藥物載體表征
ASTM E1504-2017 電子束焊接接頭檢驗(yàn)規(guī)程
ISO 16700:2016 掃描電鏡操作規(guī)范
GB/T 17359-2023 微束分析能譜法定量分析通則
GB/T 23414-2023 微束分析掃描電鏡圖像特性描述
ISO 22493:2019 微束分析掃描電鏡校準(zhǔn)規(guī)范
1. ZEISS Sigma 500場(chǎng)發(fā)射電鏡:配備EDS/EBSD系統(tǒng),適用納米級(jí)三維重構(gòu)
2. Thermo Scientific Apreo 2 SEM:低真空模式支持非導(dǎo)電樣品直接觀測(cè)
3. Hitachi Regulus 8230冷場(chǎng)電鏡:0.7nm@15kV分辨率,,支持STEM模式
4. JEOL JSM-7900F Schottky場(chǎng)發(fā)射電鏡:束流穩(wěn)定性<0.2%/h
5. TESCAN MIRA4 XMH FEG-SEM:集成CL陰極熒光光譜系統(tǒng)
6. Oxford Instruments Ultim Max 170 EDS:大面積硅漂移探測(cè)器
7. Bruker eFlash FS EBSD系統(tǒng):全自動(dòng)花樣標(biāo)定速度>3000點(diǎn)/秒
8. Gatan MonoCL4陰極熒光譜儀:光譜范圍200-1700nm
9. Leica EM ACE600鍍膜儀:磁控濺射鍍膜厚度控制精度±0.5nm
10. Fischione Model 1061離子研磨儀:低損傷截面制備系統(tǒng)
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急,。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析電子束檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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