參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

1.線寬偏差：測量實際線寬與設(shè)計值的差異范圍（0.05μm~0.5μm）

2.深度均勻性：評估刻蝕深度一致性（CV值≤3%）

3.邊緣粗糙度：量化線邊緣波動幅度（Ra≤5nm）

4.線性度誤差：檢測直線段彎曲變形量（最大偏移量＜0.1%）

5.缺陷密度：統(tǒng)計單位面積內(nèi)斷線/毛刺數(shù)量（≤0.2個/cm）

檢測范圍

1.半導(dǎo)體晶圓光刻線路（45nm~7nm制程節(jié)點）

2.PCB多層板微導(dǎo)通孔（孔徑50-200μm）

3.MEMS器件結(jié)構(gòu)層（厚度1-50μm）

4.柔性電路銀漿導(dǎo)線（線寬20-100μm）

5.光學(xué)掩模版鉻膜圖形（CD精度2nm）

檢測方法

1.輪廓儀法：ASTMB748-90(2021)表面形貌測量規(guī)程

2.掃描電鏡法：ISO16700:2016微束分析標(biāo)準(zhǔn)

3.光學(xué)干涉法：GB/T34879-2017微結(jié)構(gòu)三維測量方法

4.原子力顯微鏡：ISO11039:2012納米尺度測量規(guī)范

5.X射線衍射：GB/T32281-2015半導(dǎo)體晶格應(yīng)變測試

檢測設(shè)備

1.KLA-TencorP-7輪廓儀：三維形貌分析（分辨率0.1nm）

2.HitachiSU9000場發(fā)射電鏡：5nm電子束成像系統(tǒng)

3.ZygoNewView9000白光干涉儀：0.1垂直分辨率

4.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：峰值力輕敲模式

5.OlympusDSX1000數(shù)碼顯微鏡：20x-7000x連續(xù)變倍

6.NikonNEXIVVM-300影像儀：雙遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)

7.KeyenceVHX-7000超景深顯微鏡：4KCMOS傳感器

8.ThermoFisherHeliosG4PFIB：聚焦離子束切片分析

9.ZeissAxioCSM700共聚焦顯微鏡：405nm激光光源

10.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD：電子背散射衍射系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)