半金屬檢測(cè)摘要:半金屬檢測(cè)是評(píng)估材料物理化學(xué)特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié),,涵蓋元素組成,、電導(dǎo)率,、熱導(dǎo)率等核心參數(shù),。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化方法及精密儀器分析,,可確保材料滿足電子,、能源及半導(dǎo)體等領(lǐng)域的技術(shù)要求,。本文系統(tǒng)介紹檢測(cè)項(xiàng)目,、范圍,、方法及設(shè)備配置要點(diǎn)。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1. 元素含量分析:測(cè)定銻(Sb),、鉍(Bi),、碲(Te)等半金屬純度(0.1ppm-99.99%)
2. 電導(dǎo)率測(cè)試:測(cè)量范圍103-10? S/m(±0.5%精度)
3. 熱導(dǎo)率測(cè)定:覆蓋1-200 W/(m·K)區(qū)間(激光閃射法)
4. 載流子濃度:霍爾效應(yīng)測(cè)試儀測(cè)量101?-102? cm?3載流子密度
5. 磁化率檢測(cè):振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)測(cè)量10??-10?1 emu/g
1. 銻基合金:銻化銦(InSb)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物
2. 鉍系材料:鉍碲合金(Bi?Te?),、鉍硒化合物(Bi?Se?)
3. 碲化物半導(dǎo)體:碲化鎘(CdTe),、碲化鉛(PbTe)
4. 拓?fù)浣^緣體:Bi???Sb?合金體系
5. 熱電材料:摻雜型半金屬熱電轉(zhuǎn)換器件
1. ASTM E3061-22《電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定高純金屬雜質(zhì)》
2. ISO 22036:2020《X射線熒光光譜法測(cè)定微量元素》
3. GB/T 13301-2021《金屬材料電阻系數(shù)測(cè)量方法》
4. GB/T 22588-2008《閃光法測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)》
5. ASTM A342/A342M-18《弱磁性材料磁導(dǎo)率測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》
1. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS:痕量元素分析(檢出限0.01ppb)
2. Netzsch LFA 467 HyperFlash:激光閃射法熱導(dǎo)率測(cè)試
3. Quantum Design PPMS DynaCool:綜合物性測(cè)量系統(tǒng)(電阻率/霍爾效應(yīng)/磁化率)
4. Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀:晶體結(jié)構(gòu)分析(角度精度±0.0001°)
5. Keysight B2902A精密源表:納米級(jí)電輸運(yùn)特性測(cè)試
6. Malvern Panalytical Zetium XRF光譜儀:多元素快速篩查
7. Lake Shore 8400系列振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì):磁學(xué)性能表征
8. Agilent 5500 AFM/STM聯(lián)合系統(tǒng):表面形貌與電子態(tài)分析
9. Mettler Toledo DSC3差示掃描量熱儀:相變溫度測(cè)定
10. Four Dimensions Inc Model 280SI四探針測(cè)試臺(tái):薄膜電阻率測(cè)量
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急,。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案,。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù),。
中析半金屬檢測(cè) - 由于篇幅有限,,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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