參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶面間距測(cè)量：精度±0.0001nm（采用(004)晶面標(biāo)定）

2. 高階衍射強(qiáng)度比：Kα?/Kα?≤0.5（ASTM E1426規(guī)定值）

3. 晶格畸變分析：應(yīng)變分辨率達(dá)1×10??

4. 缺陷密度計(jì)算：位錯(cuò)密度≥10? cm?2時(shí)檢出限

5. 織構(gòu)系數(shù)測(cè)定：ODF分析精度±0.5°

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體材料：SiC單晶襯底（4H/6H型）,、GaN外延層（厚度＞2μm）

2. 金屬合金：鎳基高溫合金（γ'相含量＞40%）,、鈦鋁基復(fù)合材料

3. 陶瓷材料：氧化鋯增韌陶瓷（四方相含量＞70%）、氮化硅結(jié)構(gòu)件

4. 高分子材料：液晶聚合物薄膜（取向度＞85%）

5. 納米材料：量子點(diǎn)超晶格（周期＜10nm）

檢測(cè)方法

1. ASTM E1426-14：X射線衍射法測(cè)定殘余應(yīng)力

2. ISO 22278:2020：電子背散射衍射(EBSD)晶體取向分析

3. GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

4. ISO 24173:2009：微束電子衍射納米結(jié)構(gòu)表征

5. GB/T 36065-2018：納米材料X射線衍射分析方法

檢測(cè)設(shè)備

1. Rigaku SmartLab X射線衍射儀：配備9kW旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極靶,，最小步進(jìn)角0.0001°

2. FEI Talos F200X透射電鏡：200kV場(chǎng)發(fā)射槍,，STEM模式分辨率0.16nm

3. Bruker D8 DISCOVER三維XRD系統(tǒng)：Hi-Star二維探測(cè)器，μ聚焦光斑10μm

4. Oxford Instruments Symmetry EBSD探測(cè)器：全菊池帶采集速度＞3000點(diǎn)/秒

5. Malvern Panalytical Empyrean XRD平臺(tái)：PIXcel3D探測(cè)器動(dòng)態(tài)范圍10?:1

6. JEOL JEM-ARM300F原子分辨率電鏡：信息極限0.08nm（300kV）

7. Proto LXRD殘余應(yīng)力分析儀：Ψ幾何配置±45°傾角范圍

8. Bruker AXS DECTRIS PILATUS3 R 1M探測(cè)器：動(dòng)態(tài)范圍20bit

9. PANalytical X'Pert3 MRD XL系統(tǒng)：五軸測(cè)角器精度±0.0001°

10. TESCAN CLARA掃描電鏡：配備NordlysMax3 EBSD系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)