參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

區(qū)域精煉檢測(cè)的核心目標(biāo)是通過(guò)多維度分析，評(píng)估材料純度及雜質(zhì)分布特性,。主要檢測(cè)項(xiàng)目包括：

金屬材料純度檢測(cè)：如高純鋁,、銅,、鈦等金屬的雜質(zhì)元素含量測(cè)定；

半導(dǎo)體材料缺陷分析：包括硅,、鍺等單晶材料的位錯(cuò)密度與晶格完整性檢測(cè),；

有機(jī)化合物分離效率驗(yàn)證：針對(duì)高純度藥中間體及精細(xì)化學(xué)品的雜質(zhì)殘留量測(cè)試；

區(qū)域熔融工藝參數(shù)優(yōu)化：通過(guò)溫度梯度與凝固速率的關(guān)聯(lián)性分析,，優(yōu)化精煉效果,。

檢測(cè)范圍

區(qū)域精煉檢測(cè)技術(shù)適用于以下領(lǐng)域：

冶金工業(yè)：高純度金屬冶煉過(guò)程的質(zhì)量控制；

電子元器件制造：半導(dǎo)體晶圓,、靶材等關(guān)鍵材料的雜質(zhì)控制,；

化工生產(chǎn)：超純?cè)噭⒐饪棠z等產(chǎn)品的純度驗(yàn)證,；

科研實(shí)驗(yàn)：新型材料開(kāi)發(fā)階段的提純工藝研究,。

檢測(cè)方法

根據(jù)材料類型與檢測(cè)目標(biāo)差異，主要采用以下方法：

區(qū)域熔融法：通過(guò)局部加熱形成熔融區(qū),，利用雜質(zhì)分凝效應(yīng)實(shí)現(xiàn)梯度提純,；

輝光放電質(zhì)譜（GD-MS）：高靈敏度檢測(cè)痕量元素，精度可達(dá)ppb級(jí),；

二次離子質(zhì)譜（SIMS）：用于表面雜質(zhì)深度分布分析,；

X射線熒光光譜（XRF）：快速無(wú)損檢測(cè)材料主成分含量。

檢測(cè)儀器

實(shí)現(xiàn)高精度檢測(cè)需依賴以下關(guān)鍵設(shè)備：

區(qū)域精煉爐：配備多段溫控系統(tǒng)與惰性氣體保護(hù)裝置,，確保熔區(qū)穩(wěn)定性,；

高分辨質(zhì)譜儀：支持同位素比值與超痕量元素同步分析；

電子探針顯微分析儀（EPMA）：實(shí)現(xiàn)微米級(jí)區(qū)域成分定量,；

電感耦合等離子體發(fā)射光譜（ICP-OES）：適用于多元素快速篩查,。

上述儀器配合自動(dòng)化數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，可構(gòu)建完整的區(qū)域精煉檢測(cè)平臺(tái),，滿足不同場(chǎng)景的檢測(cè)需求,。

中析儀器 資質(zhì)