參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1. 孿晶密度測定：測量單位體積內(nèi)孿晶界面數(shù)量（0.5-2.0 μm?2）,，精度±0.05 μm?2

2. 取向偏差角分析：測定相鄰晶粒間取向差（0.1°-15°）,，分辨率達0.02°

3. 晶界分布均勻性：統(tǒng)計Σ3/Σ9特殊晶界占比（5%-95%）,，誤差≤1.5%

4. 層錯能計算：通過TEM衍射花樣計算（50-300 mJ/m2），重復性誤差±3%

5. 位錯密度評估：采用Williamson-Hall法測定（10?-1012 cm?2）,，靈敏度10? cm?2

檢測范圍

1. 鎂合金變形構件（AZ31B/ZK60等）

2. 鈦基生物醫(yī)用植入體（Ti-6Al-4V/CP-Ti等）

3. ZnO半導體壓電薄膜（厚度50-500 nm）

4. GaN功率器件外延層（2H型六方結構）

5. 鈷基高溫合金渦輪葉片（AMS 5608/5613標準件）

檢測方法

ASTM E112-13《金相晶粒度測定》結合EBSD技術

ISO 643:2019《鋼的奧氏體晶粒度測定》擴展應用

GB/T 13298-2015《金屬顯微組織檢驗方法》

ASTM E2627-13《電子背散射衍射標準規(guī)程》

GB/T 35465-2017《納米材料晶體結構透射電鏡分析》

ISO 24173:2009《電子背散射衍射取向測量》

GB/T 8362-2018《金屬材料X射線應力測定方法》

檢測設備

1. ZEISS Sigma 500場發(fā)射掃描電鏡：配備Oxford Symmetry EBSD探測器（分辨率0.5 μm@15 kV）

2. Thermo Fisher Apreo SEM：集成NSIV電子光學系統(tǒng)（束流穩(wěn)定性≤0.1%/h）

3. Bruker D8 Discover XRD儀：配備VANTEC-500二維探測器（角度精度±0.0001°）

4. JEOL JEM-2100F場發(fā)射透射電鏡：點分辨率0.19 nm（STEM模式）

5. Oxford Instruments AZtecCrystal：支持HKL Channel 5數(shù)據(jù)采集（采集速率≥300點/s）

6. Shimadzu XRD-7000：配備單色CuKα輻射源（λ=1.54056 ?）

7. Gatan Oriana EBSD系統(tǒng)：支持動態(tài)背景校正（信噪比≥100:1）

8. TSL OIM Analysis v8.0：具備HCP晶體對稱性自動識別功能

9. Malvern Panalytical Empyrean：配置PIXcel3D探測器（最大輸出功率4 kW）

10. Hitachi HF5000 STEM：配備Cold FEG電子槍（能量分辨率≤0.3 eV）

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)