參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 薄膜厚度：測(cè)量范圍0.1nm-100μm,，精度±0.5%,，采用非接觸式光學(xué)干涉法

2. 成分分析：元素含量檢測(cè)（如Si、C,、N等）,，誤差≤0.1at%，配備EDS能譜儀

3. 表面粗糙度：Ra值測(cè)量范圍0.1-100nm,，原子力顯微鏡（AFM）掃描面積10×10μm2

4. 結(jié)晶取向：X射線衍射（XRD）分析晶面指數(shù)（hkl）,，角度分辨率0.001°

5. 密度與孔隙率：氦氣比重法測(cè)定密度偏差±0.02g/cm3，SEM圖像分析孔隙率≥0.1%

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體材料：氮化硅(Si3N4)絕緣層,、多晶硅柵極鍍層

2. 金屬涂層：鎢(W)互連層,、鈦(Ti)阻擋層

3. 陶瓷涂層：碳化硅(SiC)耐磨層、氧化鋁(Al2O3)熱障涂層

4. 光學(xué)薄膜：二氧化硅(SiO2)/五氧化二鉭(Ta2O5)多層增透膜

5. 聚合物薄膜：聚對(duì)二甲苯(Parylene)封裝涂層

檢測(cè)方法

1. ASTM F76-08(2016)：CVD鎢膜電學(xué)性能測(cè)試規(guī)范

2. ISO 14703:2022：薄膜厚度測(cè)量-橢圓偏振法實(shí)施指南

3. GB/T 16535-2008：化學(xué)氣相沉積碳化硅涂層檢驗(yàn)方法

4. ISO 21222:2020：CVD金剛石膜熱導(dǎo)率測(cè)試規(guī)程

5. GB/T 38823-2020：硅外延層厚度測(cè)定紅外反射法

6. ASTM E2865-12(2020)：CVD涂層殘余應(yīng)力X射線衍射測(cè)定法

檢測(cè)設(shè)備

1. J.A. Woollam M-2000UI型光譜橢偏儀：寬光譜(190-1700nm)膜厚測(cè)量系統(tǒng)

2. Bruker D8 ADVANCE型X射線衍射儀：配備LYNXEYE XE-T探測(cè)器,，最小步進(jìn)0.0001°

3. Keysight 5500型原子力顯微鏡：非接觸模式分辨率0.1nm(Z軸)

4. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam型聚焦離子束電鏡：可實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)截面制備與EDS聯(lián)用

5. Agilent 4300手持式FTIR光譜儀：支持2.5-25μm波段薄膜成分快速分析

6. KLA Tencor P-7型表面輪廓儀：12英寸晶圓級(jí)臺(tái)階高度測(cè)量重復(fù)性0.1?

7. Netzsch LFA 467 HyperFlash型激光導(dǎo)熱儀：測(cè)量范圍0.1-2000W/(m·K)

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100型ICP-OES：檢出限達(dá)ppb級(jí)金屬雜質(zhì)分析

9. Hitachi SU5000型場(chǎng)發(fā)射電鏡：搭配Bruker Quantax EDS實(shí)現(xiàn)1nm分辨率成分成像

10. Veeco DektakXT型接觸式輪廓儀：最大掃描長度55mm,，垂直分辨率0.1?

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)