參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

晶體線性生長(zhǎng)速率：測(cè)量范圍0.1-500μm/h,，精度±0.05μm/h

溫度梯度分布：檢測(cè)范圍0.1-50°C/cm，分辨率0.01°C/cm

過(guò)飽和度控制值：測(cè)定精度±0.1mol/L,，量程0.01-5mol/L

晶面取向偏差角：檢測(cè)精度±0.1°,，量程0-90°

缺陷密度分布：檢測(cè)下限1×103 defects/cm3,，空間分辨率1μm

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs),、碳化硅(SiC)單晶

光學(xué)晶體：藍(lán)寶石(Al?O?),、釔鋁石榴石(YAG)、氟化鈣(CaF?)

金屬單晶：銅(Cu),、鎳(Ni),、鈦(Ti)定向凝固樣品

功能陶瓷晶體：鋯鈦酸鉛(PZT)、鈦酸鋇(BaTiO?)

生物礦物晶體：羥基磷灰石,、方解石,、文石

檢測(cè)方法

ASTM F1215：熔體法晶體生長(zhǎng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)規(guī)范

ISO 23145：溶液法晶體生長(zhǎng)速率測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 32123-2015：氣相沉積晶體生長(zhǎng)過(guò)程檢測(cè)方法

ISO 18116：晶體缺陷密度同步輻射檢測(cè)規(guī)程

GB 11297.3-2015：激光干涉法測(cè)晶體生長(zhǎng)速度

檢測(cè)設(shè)備

Olympus BX53M工業(yè)顯微鏡：配備DP27相機(jī)，實(shí)現(xiàn)5000倍晶體形貌實(shí)時(shí)觀測(cè)

Malvern Mastersizer 3000：激光粒度儀,，檢測(cè)溶液體系過(guò)飽和度參數(shù)

Netzsch STA 449 F3：同步熱分析儀,，測(cè)量熔體溫度梯度及結(jié)晶潛熱

Bruker D8 ADVANCE：X射線衍射系統(tǒng)，晶面取向分析精度0.001°

Keyence VHX-7000：超景深三維顯微鏡,，缺陷密度三維重構(gòu)檢測(cè)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)