參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

氧化鈹（BeO）含量測(cè)定：純度范圍99.5%-99.99%

二氧化硅（SiO?）配比分析：摩爾比1:1至1:1.05

重金屬雜質(zhì)檢測(cè)：鉛（Pb≤50ppm）,、鎘（Cd≤30ppm）、汞（Hg≤10ppm）

晶體結(jié)構(gòu)表征：晶格常數(shù)a=4.85?±0.02,c=5.26?±0.03

密度測(cè)試：理論密度2.97g/cm3±0.05

熱膨脹系數(shù)測(cè)定：20-800℃區(qū)間α=5.6×10??/℃±0.2

檢測(cè)范圍

電子陶瓷基板材料：BeO-SiO?復(fù)合陶瓷基片

光學(xué)鍍膜材料：高折射率硅酸鈹薄膜層

高溫結(jié)構(gòu)陶瓷：核反應(yīng)堆用耐高溫組件

輻射屏蔽材料：中子吸收復(fù)合材料

特種玻璃原料：低膨脹系數(shù)玻璃添加劑

檢測(cè)方法

ASTM C1233-15：X射線熒光光譜法測(cè)定主成分含量

ISO 21587-3:2007：電感耦合等離子體發(fā)射光譜法分析雜質(zhì)元素

GB/T 2590.3-2021：鈹化合物化學(xué)分析方法（酸堿滴定法）

ISO 18757:2003：高溫X射線衍射法測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T 5071-2016：耐火材料真密度試驗(yàn)方法（氦氣比重法）

檢測(cè)設(shè)備

Rigaku ZSX Primus IV波長(zhǎng)色散型X射線熒光光譜儀（主成分定量分析）

Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀（晶體結(jié)構(gòu)解析）

PerkinElmer Optima 8300電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（痕量元素檢測(cè)）

Netzsch DIL 402C熱膨脹儀（熱膨脹系數(shù)測(cè)定）

Micromeritics AccuPyc II 1340氦氣比重計(jì)（真密度測(cè)試）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)