參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

閾值電壓測(cè)試（Vth）：測(cè)量范圍±30V@25℃/150℃

導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.1mΩ-10Ω@額定電流

柵極電荷（Qg）：10nC-10μC@Vgs=15V

擊穿電壓（Vbr）：600V-6500V@漏電流≤1mA

開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)：td(on)=20-200ns, tr=50-500ns, td(off)=100-800ns, tf=50-400ns

檢測(cè)范圍

硅基IGBT模塊（1200V/300A級(jí)）

碳化硅MOSFET器件（1700V/100A級(jí)）

氮化鎵HEMT晶體管（650V/60A級(jí)）

智能功率模塊（IPM）集成器件

高壓IGBT單管（6.5kV/75A級(jí)）

檢測(cè)方法

靜態(tài)特性測(cè)試：ASTM F1245/IEC 60747-9標(biāo)準(zhǔn)

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試：GB/T 29332-2012《電力電子器件測(cè)試方法》

熱阻測(cè)量：JEDEC JESD51-14瞬態(tài)測(cè)試法

可靠性驗(yàn)證：AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

失效分析：SEMI G46-0303芯片級(jí)診斷規(guī)范

檢測(cè)設(shè)備

Keysight B1505A功率器件分析儀：支持3000V/1500A脈沖測(cè)試

Tektronix DPO70000SX示波器：70GHz帶寬@動(dòng)態(tài)特性分析

Thermo Scientific EL34熱阻測(cè)試系統(tǒng)：ΔT精度±0.1℃

Chroma 19032功率循環(huán)試驗(yàn)機(jī)：2000A@H3TRB測(cè)試模式

Hioki IM3590阻抗分析儀：10μHz-200MHz頻率范圍

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)