參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外),。

檢測項目

1.晶面夾角誤差：測量實際晶面與理論晶向的偏離角度（0.05精度）

2.晶面平整度：表面粗糙度Ra值（0.1-100nm量程）

3.晶格對稱性偏差：六方/立方晶系對稱軸偏移量（≤0.3%）

4.晶體邊緣完整性：崩邊尺寸測量（最小分辨率1μm）

5.宏觀缺陷識別：裂紋長度（≥10μm）,、包裹體直徑（≥5μm）

檢測范圍

1.半導體單晶：硅(Si)、砷化鎵(GaAs),、碳化硅(SiC)基片

2.光學晶體：氟化鈣(CaF?),、藍寶石(Al?O?)、鈮酸鋰(LiNbO?)

3.激光晶體：摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG),、鈦寶石(Al?O?:Ti)

4.壓電晶體：石英(SiO?),、鉭酸鋰(LiTaO?)

5.閃爍晶體：碘化鈉(NaI)、鍺酸鉍(BGO)

檢測方法

ASTME112-13晶粒度測定標準

ISO14625:2016空間材料單晶測試規(guī)范

GB/T1555-2021半導體單晶晶向測定方法

GB/T34878-2017光學晶體缺陷檢驗規(guī)程

ISO25178-2:2022表面形貌測量標準

檢測設備

1.OlympusDSX1000數碼顯微鏡：5000萬像素CCD,，3D表面重構功能

2.BrukerD8DiscoverX射線衍射儀：Cu靶Kα輻射源（λ=1.5406）

3.ZygoNewView9000白光干涉儀：0.1nm垂直分辨率

4.KeyenceVHX-7000超景深顯微鏡：20-6000倍連續(xù)變焦系統(tǒng)

5.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：高溫原位測試模塊（RT-1600℃）

6.LeicaDM8000M偏光顯微鏡：透反射雙模式觀察系統(tǒng)

7.ShimadzuXRD-7000衍射儀：θ/θ測角儀（0.0001精度）

8.ZeissSigma500場發(fā)射電鏡：1nm分辨率能譜分析系統(tǒng)

9.MitutoyoCrysta-ApexS坐標測量機：接觸式探針（0.5μm精度）

10.RenishawinVia顯微拉曼光譜儀：532/785nm雙波長激光源

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務。

中析儀器 資質