參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶體結(jié)構(gòu)分析：測定晶格常數(shù)（精度0.001）,、空間群對稱性及原子占位率

2.取向分布測定：統(tǒng)計晶粒歐拉角分布（角度分辨率≤0.1）,，計算織構(gòu)強度系數(shù)

3.缺陷密度檢測：量化位錯密度（量程10?-10/cm）、層錯能及孿晶界面比例

4.晶粒尺寸統(tǒng)計：測量等效直徑（范圍0.1-500μm），計算晶界曲率半徑

5.相含量測定：定量多相體系中各相體積分?jǐn)?shù)（檢出限0.5vol%）

6.殘余應(yīng)力分析：測定宏觀應(yīng)力（精度10MPa）與微觀應(yīng)變張量

檢測范圍

1.金屬材料：鋁合金（AA2024/7075）,、鈦合金（Ti-6Al-4V）,、高溫合金（Inconel718）

2.半導(dǎo)體材料：單晶硅（摻雜濃度10?-10?/cm）、GaN外延層（厚度50-500nm）

3.陶瓷材料：氧化鋯（YSZ）,、碳化硅（β-SiC）及壓電陶瓷（PZT-5H）

4.高分子材料：半結(jié)晶聚合物（PP/PE/PET）,，結(jié)晶度測量范圍30-90%

5.復(fù)合材料：碳纖維增強環(huán)氧樹脂（CFRP），界面相厚度測量精度5nm

檢測方法

1.X射線衍射法：ASTME975（宏觀織構(gòu)）,、GB/T8362（殘余應(yīng)力測定）

2.電子背散射衍射：ISO24173（取向成像）,、GB/T38885（晶界特性表征）

3.透射電子顯微術(shù)：ISO25498（位錯分析）、GB/T36065（納米晶測量）

4.中子衍射法：ISO21484（大體積樣品應(yīng)力測繪）,，ASTME2861

5.同步輻射技術(shù)：ISO/TS21432（高分辨三維成像）,，空間分辨率50nm

檢測設(shè)備

1.X射線衍射儀：PANalyticalEmpyrean,，配備高溫附件（-196~1600℃）

2.場發(fā)射掃描電鏡：ThermoFisherApreo2,，EBSD分辨率≤3nm

3.透射電子顯微鏡：JEOLJEM-ARM300F，球差校正STEM模式

4.X射線應(yīng)力分析儀：ProtoLXRD,，ψ角掃描范圍45

5.同步輻射線站：上海光源BL14B1,，光子能量5-20keV可調(diào)

6.EBSD探測器：OxfordInstrumentsSymmetryS2，采集速率3000pps

7.高溫環(huán)境箱：AntonPaarDHS1100,，真空度10??mbar

8.納米壓痕儀：KeysightG200,，載荷分辨率50nN

9.聚焦離子束系統(tǒng)：TESCANGAIA3，定位精度10nm

10.X射線三維顯微鏡：ZEISSXradia620Versa,，體素尺寸0.7μm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)