參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.載流子濃度與遷移率：采用霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量（1E15~1E19cm?），誤差≤5%

2.缺陷密度分析：通過(guò)深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）檢測(cè)（靈敏度≥1E10cm?）

3.晶體取向與晶格常數(shù)：X射線衍射（XRD）測(cè)定（角度分辨率≤0.001）

4.表面粗糙度：原子力顯微鏡（AFM）掃描（垂直分辨率≤0.1nm）

5.元素成分比：能量色散X射線譜（EDS）定量分析（精度0.5at%）

檢測(cè)范圍

1.III-V族化合物：GaAs襯底/外延片,、InP功率器件

2.III-Nitride材料：GaNHEMT結(jié)構(gòu),、AlGaN紫外探測(cè)器

3.寬禁帶半導(dǎo)體：4H-SiCMOSFET、6H-SiC二極管

4.II-VI族器件：ZnO壓敏電阻,、CdTe光伏組件

5.異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)：AlGaAs/GaAs量子阱,、InGaN/GaN超晶格

檢測(cè)方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍爾效應(yīng)材料參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

2.ISO14707:2015：輝光放電光譜法成分深度剖析

3.GB/T15519-2022：半導(dǎo)體晶體缺陷X射線形貌術(shù)檢測(cè)規(guī)范

4.JISH7804:2005：場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡表面形貌觀測(cè)法

5.IEC60749-28:2017：半導(dǎo)體器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法

檢測(cè)設(shè)備

1.Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：支持DC-IV/CV/脈沖I-V多模式測(cè)量

2.BrukerD8ADVANCEXRD系統(tǒng)：配備LYNXEYEXE-T探測(cè)器（2θ范圍3~168）

3.ThermoFisherTalosF200X透射電鏡：STEM模式分辨率0.16nm

4.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：10fA~1A寬量程電流測(cè)量能力

5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：等離子刻蝕速率控制精度2%

6.ZygoNewView9000白光干涉儀：垂直分辨率0.1nm@20物鏡

7.Agilent5500AFM系統(tǒng)：接觸/輕敲/相位成像多模式切換

8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光譜儀：空間分辨率<1μm@532nm激光

9.FEIHeliosG4UX聚焦離子束：5nm定位精度的截面制備系統(tǒng)

10.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：PeakForceTapping專利技術(shù)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)