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出現(xiàn)電勢譜學(xué)檢測

2025-03-05 關(guān)鍵詞:出現(xiàn)電勢譜學(xué)測試儀器,出現(xiàn)電勢譜學(xué)項(xiàng)目報(bào)價(jià),出現(xiàn)電勢譜學(xué)測試范圍 相關(guān):
出現(xiàn)電勢譜學(xué)檢測

出現(xiàn)電勢譜學(xué)檢測摘要:出現(xiàn)電勢譜學(xué)(APS)是一種基于電子能譜分析的材料表征技術(shù),,主要用于測定材料表面元素組成,、化學(xué)態(tài)及深度分布。其檢測要點(diǎn)包括激發(fā)源能量校準(zhǔn),、譜峰分辨率控制及數(shù)據(jù)解卷積分析,,適用于金屬,、半導(dǎo)體、高分子等材料的非破壞性檢測,,在失效分析和質(zhì)量控制中具有重要應(yīng)用價(jià)值,。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

表面元素靈敏度分析(檢測參數(shù):元素檢出限0.1-10 at.%)

化學(xué)態(tài)結(jié)合能測定(檢測參數(shù):結(jié)合能范圍0-1500 eV,,分辨率±0.2 eV)

深度剖面分析(檢測參數(shù):濺射深度0-1000 nm,,深度分辨率5 nm)

價(jià)帶結(jié)構(gòu)表征(檢測參數(shù):能量范圍-20至20 eV,步長0.05 eV)

污染物檢測(檢測參數(shù):C/O污染層厚度1-50 nm,,覆蓋度分析)

檢測范圍

金屬材料:鋁合金鈍化膜,、不銹鋼氧化層,、電鍍涂層

半導(dǎo)體材料:硅片表面摻雜、GaN外延層,、ITO透明導(dǎo)電膜

高分子材料:聚合物表面改性層,、光刻膠殘留物

陶瓷材料:氮化硅燒結(jié)體、壓電陶瓷界面

生物材料:鈦合金植入體表面處理,、醫(yī)用高分子涂層

檢測方法

ASTM E2108:標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐-X射線光電子能譜表面分析

ISO 18118:表面化學(xué)分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜

GB/T 19500:X射線光電子能譜分析方法通則

GB/T 17359:電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法

ISO 15472:XPS儀器強(qiáng)度標(biāo)定的標(biāo)準(zhǔn)方法

檢測設(shè)備

Thermo Scientific K-Alpha XPS:單色化Al Kα光源(1486.6 eV),,空間分辨率≤30 μm,配備Ar+離子槍(0.1-4 keV)

ULVAC-PHI VersaProbe IV:多模式X射線源(Al/Mg雙陽極),,深度剖析模式最小束斑10 μm

Kratos AXIS Supra:高傳輸能量分析器(能量分辨率<0.45 eV),,集成紫外光電子能譜(UPS)模塊

SPECS FlexMod XPS:模塊化設(shè)計(jì),配備SnapMap快速成像功能(像素尺寸5 μm)

JEOL JPS-9030:全自動(dòng)樣品臺(5軸控制),,支持高溫/低溫原位分析(-150℃至600℃)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期:7~15工作日,可加急,。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析出現(xiàn)電勢譜學(xué)檢測 - 由于篇幅有限,,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢詳細(xì)檢測項(xiàng)目,請咨詢在線工程師

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